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Z2RAM, una nueva memoria que busca aliviar la escasez de chips de memoria
La startup Nagare Labs presentó Z2RAM, una tecnología que combina rasgos de SRAM, DRAM y NAND. Según la compañía, podría ofrecer más densidad sin sacrificar velocidad, aunque todavía está en una etapa temprana.
Redacción PicoTecno
3 min de lectura
Según informó Muy Computer, Nagare Labs, una empresa emergente de semiconductores surgida del Instituto Tecnológico de Georgia, dio a conocer Z2RAM, una nueva tecnología de memoria. La compañía salió a la luz con financiamiento liderado por Playground Global, una firma de capital de riesgo cuyo socio general es Pat Gelsinger, exCEO de Intel.
El anuncio llega en un momento complicado para el sector. La demanda de memoria para la infraestructura de inteligencia artificial redujo la disponibilidad para otros usos y encareció los componentes de todo tipo de dispositivos electrónicos de consumo. Según los datos citados por la fuente, las ventas de PC cayeron un 21% en el tercer trimestre, y se prevé una nueva baja del 27% para el último período de 2026. SK Hynix, uno de los tres grandes proveedores de memorias, estima que la escasez se mantendrá al menos hasta 2030.
Frente a este panorama, aparecieron alternativas como el fabricante chino CXMT, que surge como una fuente adicional de producción en el corto plazo. También hay nuevas tecnologías que prometen un proceso de fabricación más simple. Sin embargo, la fuente considera difícil que estas opciones se traduzcan pronto en mejoras de stock y precios, aunque cualquier alivio resulta bienvenido.
Qué propone Z2RAM
La propuesta de Nagare Labs apunta a reunir en un solo diseño ventajas de tres tipos de memoria ya existentes: la SRAM, la DRAM y la memoria flash NAND. El objetivo es igualar la velocidad de la SRAM, la densidad de la DRAM y la escalabilidad de la NAND, con menor consumo energético y un proceso de fabricación más sencillo.
Cada una de esas tecnologías tiene sus límites. La SRAM es muy veloz y se usa en las cachés de los procesadores, pero ocupa bastante superficie en el chip, lo que dificulta escalarla. La DRAM alcanza una densidad mucho mayor y suele formar la memoria principal de los equipos, aunque es más lenta. La NAND, empleada en los discos SSD, es más lenta que la DRAM, pero permite apilar capas verticales para guardar mucha más información en poco espacio.
Según la compañía, Z2RAM podría superar esas restricciones. Mientras que la DRAM convencional usa un transistor y un capacitor por cada bit, Z2RAM emplea dos transistores y aprovecha la capacitancia de la compuerta del segundo para retener la carga, de modo que no hace falta un capacitor físico independiente. Además, la lectura no destruye el dato, por lo que la celda no necesita reescribirse después de cada lectura, a diferencia de lo que ocurre con la DRAM tradicional.
Nagare también plantea apilar estas celdas en vertical, un enfoque similar al de las memorias NAND, las HBM para servidores y la caché 3D que AMD usa en algunos de sus procesadores. La empresa afirma que su diseño podría alcanzar más de cinco veces la densidad de bits de la SRAM manteniendo un ancho de banda comparable. Como ejemplo, indica que un módulo que hoy albergaría 64 MB de SRAM podría llegar a unos 320 MB con Z2RAM en la misma área.
Pat Gelsinger se mostró optimista sobre el futuro de la tecnología, en la medida en que la demanda de infraestructura de IA abre espacio para nuevas memorias, sobre todo porque las soluciones actuales tienen dificultades para cubrir los requisitos de ancho de banda y capacidad. Aun así, la fuente recuerda que Z2RAM está en sus inicios, y que su éxito dependerá de que pueda producirse a gran escala y con costos competitivos.
