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GlobalFoundries prepara FDX Fusion, un proceso de clase 7 nm sin litografía EUV
GlobalFoundries detalló FDX Fusion, una tecnología basada en FD-SOI con transistores planares que apunta a rendimiento de clase 7 nm sin usar herramientas EUV. Según la empresa, la producción comercial arrancaría en 2028.
Redacción PicoTecno
2 min de lectura
(Tom's Hardware)
Ocho años después de abandonar el desarrollo de su tecnología de 7 nm con transistores FinFET, GlobalFoundries se prepara para volver a ese nivel de desempeño por otro camino. Según informó Tom's Hardware tras una entrevista con Sudipto Bose, vicepresidente de la unidad de negocios de FD-SOI de la compañía, el proceso FDX Fusion promete prestaciones de clase 7 nm sin necesidad de litografía EUV (ultravioleta extremo), la técnica más cara y compleja de la industria.
FDX Fusion se apoya en FD-SOI (silicio totalmente empobrecido sobre aislante) y en transistores planares avanzados, es decir, de estructura plana y no en forma de aleta como los FinFET. Además, usa sustratos de silicio tensado y técnicas ópticas de patronado agresivas. Se fabricará con litografía DUV (ultravioleta profundo), aunque Tom's Hardware anticipa que las capas más críticas probablemente requieran multipatronado, o sea, varias pasadas de exposición.
Densidad y costos
Bose precisó que la densidad de compuertas lógicas será de 14 millones por milímetro cuadrado, igual a la del estándar actual de 8 nm de la industria. Tom's Hardware aclaró que, si se toma como referencia una compuerta NAND de dos entradas con cuatro transistores, equivale a 56 millones de transistores por milímetro cuadrado, comparable a los nodos de clase 8 nm de Samsung. Frente a 22FDX y 22FDX+, las generaciones actuales, la densidad es 2,2 veces mayor.
El ejecutivo sostuvo que al no usar EUV ni transistores FinFET se puede ofrecer un precio de juego de máscaras más competitivo que el de nodos de 6 nm. También habría más flexibilidad en tiempos de ciclo y en la cantidad de plantas donde fabricar. La contracara, según la nota, es una densidad de transistores bastante menor que la de los nodos de clase 7 nm convencionales.
Entre las novedades, la compañía mencionó:
Una frecuencia fT/fmax de 500 GHz, útil para conectividad, radar automotriz y centros de datos.
Soporte para polarización adaptativa del sustrato (adaptive body biasing).
Varias variantes de memoria no volátil embebida (eNVM) y de SRAM, clave para la IA en el borde.
Sobre las aplicaciones, Bose enumeró chips de conectividad (Wi-Fi, Bluetooth, celular y comunicaciones satelitales), microcontroladores con inferencia de IA en el borde, radar automotriz y circuitos de conectividad dentro de centros de datos. En este último caso aclaró que no se trata de CPU, sino de rutas de datos y señales que alimentan a los procesadores, donde hoy se usa silicio-germanio.
La apuesta se apoya en el desempeño del FDX actual: Bose afirmó que hay más de 90 clientes en etapa de producción y que algunos logran con 22FDX potencia y rendimiento de clase 16 nm. Según el resumen de la fuente, la empresa planea comenzar la producción comercial de FDX Fusion en 2028 y apunta a 2030 para la fabricación en alto volumen.
